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546.86 --- Antimony Sb --- 546.86 Antimony Sb --- Organometallic compounds. --- Antimony compounds
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546.86 --- Antimony Sb --- 546.86 Antimony Sb --- Organometallic compounds. --- Antimony compounds
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Sculpture --- History --- Anoniem - SB 16 --- anno 1500-1599 --- Spain
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546.19 --- 546.86 --- 546.87 --- 546.87 Bismuth Bi --- Bismuth Bi --- 546.86 Antimony Sb --- Antimony Sb --- 546.19 Arsenic As --- Arsenic As --- Descriptive organic chemistry
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La vallée de l’Arve (commune des Houches) et la montagne de Pormenaz sont situées en Haute-Savoie (France). Peu de données sont disponibles sur les anciennes mines de cette région(où on exploitait du Cu, Pb, Zn, Ag, Fe et Sb). Dans ce travail, les minéraux de ces gisements, principalement des sulfures et des sulfosels, ont été décrits à partir de deux séries d’échantillons : 23 échantillons fournis par un collectionneur et 4 échantillons récoltés directement sur le terrain. Des analyses par diffraction des rayons X ont permis de déteminer les proportions des différents minéraux constitutifs de ces 25 échantillons. De plus, la structure de l’aikinite (CuPbBiS3) a été étudiée en détail dans un échantillon grâce au diffractomètre à quatre cercles. En parallèle, des analyses par un spectomètre portable de fluorescence X ont permis de mettre en évidence les éléments en trace (Ag) et majeurs (Ba, Pb, Cu, Zn, Sb et Sr) des minéraux présents dans ces 25 échantillons. Enfin, la microsonde électronique a permis de déterminer la quantité d’éléments chimiques pour chaque minéral à l’aide de section polies dans 4 échantillons. Ce travail a mis en évidence la présence d’une solution solide entre la barite et la célestine, qui implique une variation des paramètres de mailles. Trois stades de minéralisation ont été identifiés : deux phases de cristallisation de minéraux primaires suivies d’une phase d’altération de ces minéraux. La plupart des éléments chimiques proviennent des roches encaissants.
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Germanium (Ge) chalcogenides are characterized by unique properties that make these materials interesting for a very wide range of applications from phase change memories to ovonic threshold switches and from photonics to thermoelectric and photovoltaic devices. In many cases, their physical properties can be finely tuned by doping or by changing the amount of Ge, which may therefore play a key role in determining the applications, performance, and even the reliability of these devices. In this book, we include 11 articles, mainly focusing on applications of Ge chalcogenides for non-volatile memories. Most of the papers have been produced with funding received from the European Union’s Horizon 2020 Research and Innovation program under grant agreement n. 824957. In the Special Issue “BeforeHand: Boosting Performance of Phase Change Devices by Hetero- and Nanostructure Material Design”, two contributions are related to the prototypical Ge2Sb2Te5 compound, which is the most studied composition, already integrated in many devices such as optical and electronic memories. Five articles focus on Ge-rich GeSbTe alloys, exploring the electrical and the structural properties, as well as the decomposition paths. Other contributions are focused on the effect of the interfaces and on nanowires.
Technology: general issues --- Chemical engineering --- PCM --- Ge2Sb2Te5 --- sputtering --- flexible substrates --- crystallization --- electrical properties --- phase change materials --- nitrogen --- strain --- kinetics --- amorphous phase --- germanium telluride --- indium alloying --- optical contrast --- Ge-rich alloys --- crystallization temperature --- segregation --- Ge-rich GST alloys --- Raman --- electronic properties --- Ge-rich GST --- pulsed laser deposition --- phase separation --- GGST --- EDX elemental chemical mapping --- embedded memory --- density functional theory --- MOCVD --- VLS --- phase-change memory --- nanowires --- core-shell --- Ge–Sb–Te --- Ge–Sb–Te/Sb2Te3 --- embedded electronic memories --- Density Functional Theory --- high-throughput calculations ---
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