Abstract | Keywords | Export | Availability | Bookmark

Choose an application

• Reference Manager
• EndNote
• RefWorks (Direct export to RefWorks)

Aangezien huidige halfgeleiderstructuren evolueren naar steeds kleinere en meer complexe configuraties, is de nood heel hoog voor meettechnieken met de mogelijkheid om de tweedimensionale doperingsverdeling binnen deze structuren met hoge resolutie op te meten. Een krachtige meettechniek hiervoor is Scanning Capacitance Microscopy (SCM). Om te voldoen aan de vooropgestelde eisen van de International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS), is de optimalisatie van SCM een heel belangrijk studiepunt. Dit betekent niet alleen een verbetering van de ruimtelijke resolutie, maar ook de mogelijheid om de onderliggende doperingsconcentraties met grote precisie te bepalen. Dit onderzoekswerk is gericht op de experimentele studie van verschillende aspecten van SCM zoals oppervlakte-eigenschappen, monstervoorbereiding, tipoptimalisatie, junctiepositiebepaling,. . . alsook de ontwikkelingen van de nodig inzichten in de onderliggende fysica van deze aspecten. Gebaseerd op deze observaties werden enkele belangrijke optimalisaties van de techniek bereikt. Deze resultaten zijn ook gedemonstreerd op enkele uitgebreide gevalsanalyses zoals power devices en verschillende CMOS technologieen. Er werd ook een vergelijking uitgevoerd tussen SCM en enkele andere veelbelovende doperingsprofileringstechnieken. As present semiconductor devices evolve towards shallower and more complex configurations, the need for measurement techniques with the capability to determine the two dimensional dopant distributions within these devices with high resolution becomes very high. A powerful tool for such mean is Scanning Capacitance Microscopy (SCM). In order to meet the requirements of the International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS), the optimization of SCM has become an important issue. This involves not only enhancing its spatial resolution, but also the ability to determine the underlying dopant concentration with high precision. In this work we have focused on the experimental study of different aspects of SCM such as the surface properties and sample preparation, the probe optimization, the junction delineation,... as well as the development of the necessary insights in the underlying physics of all these aspects. Based on these observations some important optimizations of the technique could be achieved. These results are also demonstrated on some extensive case studies including power devices and different CMOS technology nodes. Also a comparison was made between SCM and other promising dopant profiling techniques.